Simulations-Dienstleistungen

Halbleiter Bauelemente-Simulation:

Mit Silvacos VIRTUAL WAFER FAB sind wir in der Lage folgendes zu simulieren:

  • MOSFET-
  • MESFET-
  • HBT-
  • HEMT-

Bauelemente mit modernen Materialien (SiGe, GaAs, GaN oder andere ternäre und quaternäre Materialien). Eine direkte Auswirkung von Schicht-, Rezess- oder anderen Modifikationen auf das Bauelementverhalten kann somit leicht sichtbar gemacht

Simulation Eingabe:
Detaillierte Bauelementestruktur einschließlich (Rezess-)Abmessungen, Schichtstruktur und Dotierungsprofil.

Simulation Ausgabe:
Transfer-/Ausgangs-Kennlinien
2D-Fehlfarbenplots, z.B.:

Net Doping
Netto Dotierung
Electron Concentration
Elektronen Konzentration
Current Density
Stromdichte

oder E-Feld, Löcherkonzentration, Potential von verschiedenen Arbeitspunkten.

Weitere Auswertungen:

  • Schnittlinien (z. B. Bandparameter).
  • DC-Analyse (z. B. Schwellenspannung, Transkonduktanz, Unterschwellenspannung).
  • AC-Analyse (z.B. ft, fmax, S-Parameter).
  • Transienten-Analyse


Verfügbare Modelle:

Für all diese Materialien sind (unter anderem) zahlreiche Modelle erhältlich, z. B:

  • Fermi-Dirac- und Boltzmann-Statistik
  • Drift-Diffusions-Transportmodelle
  • Energiebilanz-Transportmodelle (Geschwindigkeitsüberschwinger werden berücksichtigt)
  • Feld- und dotierungsabhängige Beweglichkeit
  • Abgestufte und abrupte Heteroübergänge
  • Bandlückenverengung und Hochdotierungseffekte
  • Shockley-Read-Hall, Auger- und Oberflächenrekombination
  • Effekte durch heiße Ladungsträger

Detaillierte Informationen über die Simulation von SiGe-Hetero-FET-Bauelementen finden Sie in unserer Solid State Technology-Veröffentlichung „New approaches to a simulation-assisted design and process development“ (Vol. 40, Issue 3)

CADwalk bietet drahtlose Sensorsysteme für die Messung von Schwingungen, Vibrationen und Neigungen an. CADwalk bietet auch Simulations-Diensleistungen für Höchstfrequenz-Halbleiterbauelemente.